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野崎 幹人*; 伊藤 丈予*; 淺原 亮平*; 中澤 敏志*; 石田 昌宏*; 上田 哲三*; 吉越 章隆; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*
Applied Physics Express, 9(10), p.105801_1 - 105801_4, 2016/10
被引用回数：5 パーセンタイル：24.79(Physics, Applied)n型GaNエピ層とTiベース電極間の界面反応は、放射光X線光電子分光によって調べた。金属的Gaと薄膜TiN合金が、Alキャッピング層を堆積した界面において室温でも形成された。積層Ti/AlとTiのみの電極の比較から、反応性Ti下地層を形成する酸素捕捉元素としてAlキャッピング層が本質的に機能することが示された。アニール中金属的中間層の成長が観測された。低温プロセスを伴うn型GaN低抵抗オーミック接触を達成するための指針を議論する。
北辻 章浩
ぶんせき, 2015(6), p.239 - 244, 2015/06
混じり合わない二つの液相界面におけるイオンの移動反応あるいは電荷移動反応を、電気化学的手法を用いて調べた研究について、2012年から2014年までの文献を調査した。用いられた測定法ごとに分類して、その特長と発展、適用例などをまとめた。酸化還元非活性イオンの分析への適用や、界面吸着反応を利用した高感度分析の報告が多く、界面反応を利用する新規機能性材料開発などの応用研究が盛んになされている。
鈴木 康文; 荒井 康夫; 笹山 龍雄
Journal of Nuclear Science and Technology, 20(7), p.603 - 610, 1983/00
被引用回数：4 パーセンタイル：50.99(Nuclear Science & Technology)UO
とPuOを機械混合したものから炭素熱還元法によって混合一炭化物を調整する場合について、機械混合が還元工程での挙動に与える効果を調べた。この過程ではPuOがUOに固溶しないで三二炭化物に還元されることを確認した。また、中間生成物中では粉末状試料よりも圧粉体試料の方に三二炭化物が大量に生成することを見い出した。圧粉体化した試料を1,665-1,970Kの温度範囲で還元した場合、反応は圧粉体の表面から中心に向って進行した。律速段階は生成物層と未反応の中心部との界面での反応であると考えられる。この還元に対して375
20
J/molの活性化エネルギーを得た。蒸発によって生ずるプルトニウム損失は試料を圧粉体化することによって十分に抑制することができた。
+C powders and compacts to UC鈴木 康文; 荒井 康夫; 笹山 龍雄; 渡辺 斉
Journal of Nuclear Science and Technology, 19(3), p.222 - 230, 1982/00
被引用回数：12 パーセンタイル：75.26(Nuclear Science & Technology)粉末状あるいは圧粉体のUO+Cより炭素熱還元によってUOが生成する速度をHeガス気流中に放出されるCOガスの量から求めた。還元は酸化物粉末の性状によって強く影響を受けた。小さな粒系のUO粉末では界面反応が律速であった。約100
mの大きな粒系の粉末では粒子の炭化物層から表面への酸素の拡散によって還元が支配されることが見い出された。試料の形状もまた、UO+C混合体からUCへの還元挙動に影響を与える。細いUO粉末を80から100MPaで成形すると、圧粉体の界面での反応が律速になる。470MPaで成形された試料の場合、還元は圧粉体の界面からUC+C層を通過するCOガスの拡散によって支配される。活性化エネルギーは粉末および圧粉体試料に対して350から405kJ/molと評価された。
淺原 亮平*; 野崎 幹人*; 山田 高寛*; 伊藤 丈予*; 中澤 敏志*; 石田 昌宏*; 上田 哲三*; 吉越 章隆; 細井 卓治*; 志村 考功*; et al.
no journal, ,
GaNは次世代パワーデバイス材料として期待されている。一方、我々はこれまでにAlO
中に窒素を添加したAlON膜をゲート絶縁膜とすることで電荷トラップを低減し、電子注入耐性に優れたSiC MOSデバイスを実現している。本研究では、AlON膜をAlGaN/GaN基板上にスパッタ成膜し、放射光光電子分光法による耐熱性評価を行うと共に、AlON/AlGaN/GaN MOSキャパシタを作製し、界面電気特性の評価を行った。3nmのAlONまたはAlO膜を成膜した試料について、SPring-8 BL23SUにてGa 3d, Ga 2p, N 1s, Al 2pスペクトルを取得した結果、AlO膜では800度の熱処理を行うと、表面側にGaやAl原子が拡散していることがわかった。一方、AlON膜の場合は、800度の熱処理前後でスペクトルにほとんど変化がなく、優れた耐熱性を有することがわかった。また、800度の熱処理が施されたキャパシタの界面準位密度を測定した結果、AlON/AlGaN界面の界面準位密度はAlO/AlGaN界面の約1/5低い値を示し、界面特性に優れることがわかった。これらの結果は、AlON膜がAlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート絶縁膜としての可能性を示すものである。
野崎 幹人*; 吉越 章隆; 伊藤 丈予*; 淺原 亮平*; 中澤 敏志*; 石田 昌宏*; 上田 哲三*; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*
no journal, ,
Ti単層およびAl/Ti積層構造をn-GaN上に形成し、放射光光電子分光分析によりTi/GaN接合界面の構造変化を調べた。Alキャップ層は酸素バリア層として働くだけでなく、Ti中の酸素を取り込むことで界面反応を促進し、室温においてもTi/GaN界面構造を顕著に変化させることを明らかにした。
